低溫濺射小型磁控濺射儀是一種利用磁場控制離子轟擊靶材表面并將材料濺射到基材上的薄膜制備技術(shù)。磁控濺射儀主要包括真空室、靶材、基材和磁控源等組成部分。在磁控濺射過程中，靶材被高能離子轟擊后會(huì)產(chǎn)生材料濺射，這些材料會(huì)沉積在基材上形成薄膜。磁控源通過施加磁場來控制離子運(yùn)動(dòng)軌跡和速度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜制備過程中離子轟擊強(qiáng)度和角度的控制。

 

　　磁控濺射技術(shù)具有高膜層質(zhì)量、良好的附著力、較高的成膜速度和可選材料種類多等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于制備金屬、合金、氧化物、氮化物、碳化物等多種材料的薄膜，以及微電子、光學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域。

 

　　低溫濺射小型磁控濺射儀制備薄膜的技術(shù)具有如下優(yōu)勢：

 

　　1.高質(zhì)量的薄膜：制備的薄膜具有高純度、致密性好、均勻性好、表面光潔度高等特點(diǎn)，能夠滿足各種應(yīng)用的要求。

 

　　2.高成膜速度：相比于其他薄膜制備技術(shù)，磁控濺射儀能夠在較短的時(shí)間內(nèi)制備出較厚的薄膜，提高了生產(chǎn)效率。

 

　　3.可選材料種類多：磁控濺射儀可用于制備多種材料的薄膜，包括金屬、合金、氧化物、氮化物、碳化物等。

 

　　4.高附著力：制備的薄膜與基材之間的結(jié)合力強(qiáng)，附著力好。

 

　　5.制備過程中的控制性強(qiáng)：磁控源能夠通過施加磁場控制離子的運(yùn)動(dòng)軌跡和速度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜制備過程中離子轟擊強(qiáng)度和角度的控制，使得薄膜的性能得到優(yōu)化。

 

　　因此，磁控濺射儀是一種非常重要的薄膜制備技術(shù)，已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于微電子、光學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域，并且具有很高的研究和應(yīng)用價(jià)值。